Память Samsung LPDDR5X DRAM со скоростью 10,7 Гбит/с изготавливается с использованием 12-нм техпроцесса. Компания отмечает, что ей удалось создать самые компактные чипы LPDDR5X на рынке.
Новая память Samsung не только обеспечивает на 25% более высокую производительность и на 30% более высокую плотность по сравнению с предыдущим поколением памяти LPDDR5X, но также позволяет увеличить ёмкость одного комплекта мобильной DRAM до 32 ГБ, что делает её идеальным решением для устройств эпохи искусственного интеллекта, требующих высокопроизводительной, более ёмкой и энергоэффективной оперативной памяти.
Производитель отмечает, что его новая память LPDDR5X использует специализированные технологии энергосбережения, такие как оптимизированное изменение мощности, регулирующее мощность в зависимости от рабочей нагрузки, и расширенные интервалы режима пониженного энергопотребления, увеличивающие периоды энергосбережения. Эти улучшения повышают энергоэффективность памяти на 25% по сравнению с предыдущим поколением, что позволяет мобильным устройствам с её использованием обеспечивать более длительное время автономной работы.
Массовое производство памяти Samsung LPDDR5X со скоростью 10,7 Гбит/с начнётся во второй половине текущего года после проведения всех необходимых проверок производителями мобильных платформ и устройств на их основе.
Если вам понравился материал, кликните значок - вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал - не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!
