В исследовании предлагается использовать нановолноводы из фосфида галлия (GaP) с разными видами легирования (GaP:Si или GaP:Be) в качестве оптических волноводов с непосредственной интеграцией электрически управляемых источников света, что решает известную проблему связи между источником излучения на основе перспективных полупроводников III-V и нановолноводов.
Преимущество материала GaP заключается в практически полном отсутствии поглощения оптического сигнала (видимый и ближний инфракрасный спектральные диапазоны) при его распространении вдоль волновода, что обусловлено особенностями энергетических уровней внутри кристалла.
Исследование показывает, что нанопроводники GaP могут создавать различные источники света в зависимости от вида легирования, например зелёные светодиоды, подходящие для подводной связи.
Интеграция наноразмерного источника оптического излучения непосредственно в нановолновод решает проблему ввода излучения в фотонную схему.
Эти исследования открывают путь к созданию нового класса оптоэлектронных микросхем, сочетающих преимущества классических микроэлектронных чипов с высокой скоростью работы и низким энергопотреблением фотонных схем.
