Исследователи из Национальной лаборатории интегральных схем и систем Университета Фудань совершили прорыв в этой области. Они разработали метод нанесения плёнки MoS2 атомарной толщины на сапфировые подложки методом паровой фазы и успешно сформировали на ней функционирующие структуры.
Интересно, что около 70% используемого оборудования – это стандартное оборудование для традиционного кремниевого техпроцесса. Исследователи создали массив инверторов размером 30×30, используя плёнку, которая позволяет формировать только n-тип транзисторов. Хотя внесение примесей для получения p-проводимости в плёнку невозможно, учёные применили ряд инновационных решений для преодоления этого ограничения.
Среди использованных методов:
-
Специальная конфигурация контактов
-
Уникальное управление затвором
-
Применение контактов с различной работой выхода
-
Электрическое управление через подзатворную область
-
Использование гибридных структур с другими 2D-материалами
-
Локальное легирование через интерфейсные слои
-
Применение двойных затворов (подложкочного и топ-затвора)
Эти методы позволили имитировать p-тип проводимости в MoS2, что критически важно для создания CMOS-подобных логических схем на основе двумерных материалов. В результате исследований удалось сформировать 5900 функционирующих транзисторов и разработать библиотеку из 25 различных типов логических блоков.
Хотя достигнутая тактовая частота оказалась относительно невысокой – всего несколько килогерц, это значительный прогресс в развитии некремниевой электроники на основе тонкоплёночных технологий.
Этот успех подчёркивает растущий научный потенциал Китая и его способность быстро переводить научные разработки в коммерческие продукты. Учитывая имеющиеся ресурсы и эффективность внедрения технологий, можно ожидать увеличения количества инновационных решений, исходящих из Китая, что может существенно изменить глобальную расстановку сил в сфере технологического лидерства.Источник: https://t.me/RUSmicro/6782
Если вам понравился материал, кликните значок - вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал - не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!
