В России начали выращивать алмазы для создания нового поколения полупроводниковой техники

Группа петербургских и нижегородских учёных приступила к выращиванию искусственного алмаза для создания на его основе нового поколения полупроводниковой техники. Учёные Петербургского государственного электротехнического университета и Института прикладной физики РАН выиграли 90-миллионный мегагрант Правительства России для проведения этих работ.

Группа петербургских и нижегородских учёных приступила к выращиванию искусственного алмаза для создания на его основе нового поколения полупроводниковой техники. Учёные Петербургского государственного электротехнического университета и Института прикладной физики РАН выиграли 90-миллионный мегагрант Правительства России для проведения этих работ.

Сейчас при создании полупроводниковых приборов используется кремний, и в мире уже достигнут предел возможностей приборов на его основе.

Исследовательскую работу возглавил американский учёный с мировым именем Джеймс Батлер. Он прибыл в Россию полтора месяца назад и сформировал два научных подразделения: одно – на базе электротехнического университета, второе – на площадке Института прикладной физики РАН в Нижнем Новгороде. Группа состоит из полутора десятков человек, включая трёх аспирантов и трёх студентов.

Целью первого года работы станет выращивание нового типа искусственных алмазов, на второй год учёные сосредоточатся на создании приборов. В случае успешного продвижения проекта его финансирование может быть продолжено. Одним из условий предоставления правительственного мегагранта является привлечение в проект внебюджетных средств в размере 25% от суммы гранта, или 22,5 млн руб.

www.enginclub.ru