Современная электроника №8/2023

СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 15 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 8 / 2023 сборки (SAM); термическое испарение ; осаждение из органического раствора ; электростатическое ламинирование ; центрифугирование ; струйная печать и трафаретная печать . В настоящее время всё б о́ льшую популярность приобретают мето - ды с использованием n- тетра - децилфосфоновой кислоты (TDPA) для самособирающегося монослоя (SAM). Анализ преимуществ и недостатков методов нанесения полупроводников на изолирующую подложку можно найти в работах [31, 32]. За последние несколько лет в кон - струкциях транзисторов OFET появил - ся ряд изменений , позволивших улуч - шить параметры полевого эффекта , а также коэффициенты включения и выключения тока . Коренное отличие в принципе дей - ствия заключается в том , что MOSFET обычно работает в режиме инверсии , а OFET обычно работает в режиме накопления . Характерной общей чертой большин - ства моделей OFET является то , что их органические полупроводники вклю - чают в свои структуры ароматические или сопряжённые π - электронные эле - менты , облегчающие делокализацию орбитальных волновых функций . При - соединённые электроноакцепторные группы или донорные группы значи - тельно облегчают транспорт дырок или электронов . В качестве стимуляторов активного полупроводникового слоя наиболее часто используются такие ароматиче - ские и сопряжённые включения , как , например , рубрен , тетрацен , пентацен , диинденоперилен , перилендиимиды , тетрацианохинодиметан (TCNQ). Сре - ди полимеров популярны такие как : политиофены ( поли (3- гексилтио - фен ) P3HT), полифлуорен , полидиа - цетилен , поли (2,5- тиениленвинилен ), поли ( п - фениленвинилен ) (PPV). Пере - численные соединения предназначе - ны для использования в транзисторах OFET p - типа . Проблемы синтеза органических полупроводников для устройств OFET n - типа изучены заметно хуже . Изна - чально они были основаны на пери - лендиимидах или фуллеренах , а также на их производных . Однако произво - дительность таких устройств была невысокой . Один из способов улуч - шения ситуации заключается в том , чтобы внедрять фрагменты молеку - лярных комплексов p - типа в структу - ры органических полупроводников с n - проводимостью [33]. Синтез органических полупрово - дников является быстроразвивающим - ся направлением . Предлагаются как новые химические соединения , так и новые технологии синтеза . В одной из недавно опубликованных работ пред - лагается новый метод изготовления FOFET – органического полупроводни - ка на полиимидной (PI) подложке с тон - кими плёнками poly(3-hexylthiophene). Использование газового потока способ - ствует улучшению кристаллическо - го расположения ультратонких плё - нок поли (3- гексилтиофена ) – P3HT за счёт образования защитного слоя из ионов гелия . Результаты тестов показыва - ют , что полученный таким спосо - бом органический полупроводник имеет подвижность носителей до 2,527±1,194 см 2 /( В · с ) при рабочем напряжении около − 1,5 В [34]. В последнее время появляется много публикаций с другими новыми назва - ниями материалов для OFET обоих типов проводимости . Среди новых разработок органических полупрово - дниковых материалов можно отметить , например , синтез асимметричного алкоксинафтила антрацена , содержа - щего циклогексилированную алкиль - ную концевую группу , 2-(6-((6- цикло - гексилгексил ) окси ) нафталин -2- ил ) антрацен (C-HNA) ) [35]. Ознакомиться с другиминаименования - миможно , например , в работах [36, 37, 38]. Одно из основных технологических преимуществ изготовления OFET заключается в том , что все слои могут быть нанесены на заготовку при ком - натной температуре по шаблону или методом прямой печати . Это значи - тельно упрощает процесс и удешев - ляет стоимость производства . Другое важное преимущество совре - менных моделей OFET заключается в том , что они могут работать при низ - ких напряжениях питания . Низкое потребление является одним из основ - ных требований , предъявляемых к устройствам Интернета вещей . Мно - гочисленные сенсоры самого различ - ного назначения проектируются так , чтобы их можно было эксплуатировать несколько лет без замены миниатюр - ных батарей питания [39]. Органические светоизлучающие диоды (OLED) стремительно завоё - вывают различные сегменты мирово - го радиоэлектронного рынка благо - даря своим уникальным свойствам , таким , например , как : качество цвета , широкий угол обзора , производство без использования ртути , механиче - ская гибкость и т . д . Впервые внимание широкой науч - ной общественности к проблеме OLED было привлечено опубликованной в 1987 году статьей Танга и Ван Слай - ка [40]. В последнее время OLED нашли широкое применение в качестве дис - плеев в различной бытовой электро - нике , такой как сотовые телефоны , цифровые камеры и телевизоры сверх - высокой чёткости . Одним из главных направлений в современных разработках высоко - эффективных OLED является синтез полимерных и низкомолекулярных излучающих материалов с соответ - ствующими электрическими и опти - ческими свойствами , необходимыми Рис . 10. Упрощённая схематранзистора на базе органического полупроводника OFET Полупроводник Исток Диэлектрик Затвор Подложка Сток