Современная электроника №2/2024

6 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 2 / 2024 Реклама РЫНОК ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ Открыт приём заказов на серию VDMC Компания «Вольтбрикс» открыла приём заказов на новую линейку высокоплотных DC/DC преобразователей для аппаратуры, требовательной к качеству электропитания, эксплуатируемой в жёстких условиях. Система электропитания, построенная на базе линейки DC/DC преобразователей VDMC совместно с модулем удержания на- пряжения VHA и фильтром-ограничителем VFPC, способна обеспечить работоспособ- ность нагрузок мощностью от 10 до 700 Вт в диапазоне напряжений питающей сети 9 – 40 (16 – 40) В с кратковременным па- дением до 0 В и всплесками до 250 В. При этом, в целом, решение является очень ком- пактным, устойчивым к воздействию внеш- них факторов и соответствует российским и зарубежным требованиям к ЭМС. Ассортимент представлен шестью пре- образователями мощностью от 25 до 700 Вт, двумя модулями удержания напряжения VHA на 6 и 30 А, пассивным фильтром кон- дуктивных помех VFC на 6 А и тремя актив- ными фильтрами-ограничителями VFPC от 6 до 16 А, обеспечивающими работу в диа- пазоне температур от –55...+105°С. Преобразователи VDMC имеют защиту от перегрузки по току, КЗ и выходного перенапря- жения, функцию дистанционного включения и выключения, регулировки от –20 до +10%. Типовой КПД может достигать от 88 до 93% (в зависимости от мощности) с высокой ста- бильностью в широком диапазоне нагрузок. Модули разработаны в соответствии со стандартом DOSA с целью замены pin-to- pin ряда популярных зарубежных преоб- разователей в форм-факторе BRICK, кро- ме того, при разработке учитывались требования стандартов MIL-STD-461, MIL- STD-810, MIL-STD-704 и MIL-STD-1275, что позволяет разработчикам производить за- мену зарубежных модулей электропита- ния практически без доработки своего проекта. https://voltbricks.ru/ +7 (473) 211-22-80 info@voltbricks.ru НОВОСТИ МИРА TSMC создала улучшенную магниторезистивную память – она потребляет в 100 раз меньше энергии Компания TSMC вместе с учёными Тай - ваньского НИИ промышленных техноло - гий (ITRI) представила совместно разра - ботанную память SOT-MRAM. Новое за - поминающее устройство предназначено для вычислений в памяти и для приме - нения в качестве кэша верхних уровней . Новая память быстрее DRAM и сохраняет данные даже после отключения питания , и она призвана заменить память STT- MRAM, потребляя при работе в 100 раз меньше энергии . На роль кэш - памяти верхних уровней ( от L3 и выше ) и для вычислений в памяти , сре - ди прочих перспективных вариантов энер - гонезависимой памяти , долгое время пре - тендовала магниторезистивная память с записью с помощью переноса спинового момента (STT-MRAM). Этот вариант памяти передавал намагниченность запоминающей ячейке через туннельный переход с помо - щью спин - поляризованного тока . За счёт это - го потребление энергии STT-MRAM оказалось кратно меньше потребления обычной па - мяти MRAM, в которой запись осуществля - лась наведённым электромагнитным полем . Память SOT-MRAM идёт ещё дальше . Запись ( намагниченность ) ячейки – слоя ферромагнетика – происходит с помощью спин - орбитального вращательного мо - мента . Эффект проявляется в проводни - ке в основании ячейки в процессе комби - нации двух явлений : спинового эффекта Холла и эффекта Рашбы – Эдельштейна . В результате на соседний с проводником ферромагнетик воздействует индуциро - ванное магнитное поле со стороны спи - нового тока в проводнике . Это приводит к тому , что для работы SOT-MRAM требует - ся меньше энергии , хотя настоящие про - рывы ещё впереди . Другие преимущества памяти SOT-MRAM заключаются в раздельных схемах запи - си и чтения , что положительно сказыва - ется на производительности , а также уве - личенной устойчивости к износу . « Эта элементарная ячейка обеспечи - вает одновременно низкое энергопотре - бление и высокоскоростную работу , до - стигая скорости до 10 нс , – сказал доктор Ши - Чи Чанг , генеральный директор иссле - довательских лабораторий электронных и оптоэлектронных систем ITRI. – Её общая вычислительная производительность мо - жет быть дополнительно повышена при реализации схемотехники вычислений в памяти . Заглядывая в будущее , можно сказать , что эта технология обладает по - тенциалом для применения в высокопро - изводительных вычислениях (HPC), искус - ственном интеллекте (AI), автомобильных чипах и многом другом ». Память SOT-MRAM с задержками на уровне 10 нс оказывается ближе к SRAM ( задержки до 2 нс ), чем обычная память DRAM с задержками до 100 нс и выше . И , конечно , она существенно быстрее по - пулярной сегодня 3D NAND TLC с задерж - ками от 50 до 100 мкс . Но в процессорах и контроллерах память SOT-MRAM появится не завтра и не послезавтра , как не стала востребованной та же память STT-MRAM, которая разрабатывается свыше 20 лет . Всё это будущее , и не очень близкое , хо - тя , в целом , необходимое для эффектив - ных вычислений в памяти и устройств с автономным питанием . 3dnews.ru