Современная электроника №4/2024

ВОПРОСЫ ТЕОРИИ 51 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 4 / 2024 в 2 раза приводит к 8- кратному увеличению концентрации этих частиц . Наряду с описанным выше подходом используется метод , моделирующий процесс изготовления чипа на кремни - евой пластине с подсчётом частиц , осев - ших на пластине после каждой процеду - ры , имитирующей изготовление чипов на контрольном образце . Подсчёт частиц на поверхности кремниевой пластины проводят с помощью технологии Surface Enhanced Particle Sizing (SEPS), работа - ющей в диапазоне от 8 нм до 100 нм . В проведённых экспериментах компани - ями IRDS и More Moore был осуществлён физический подсчёт частиц и определён их размер на площади 10% от площади пластины . В результате исследований , в которых использовался описанный выше подход , были [1] сформулирова - ны ожидания концентрации дефектов на 300 мм кремниевой пластине в 2022 и 2025 годах , расчёты выполнялись с учё - том размеров слоёв Gate и Fin ( таблица ). В настоящее время для контроля кон - центрации частиц в УЧВ предлагается использовать методологию , представ - ленную в стандартах [4, 5, 6]. В стандар - те [4] рассматриваются возможности фильтра смешанного действия с точ - Часть транзистора 2022 2025 D, нм D/ пл ., шт . Сч / мл , шт . IRDS Сч / мл , шт . D, нм D/ пл ., шт . Сч / мл , шт . IRDS Сч / мл , шт . Gate 9,0 5,0 3,3 1 7,0 6,6 4,4 1 Fin 3,0 136,1 125,6 100 3,5 52,8 43,9 10 D, нм – размер дефекта (« частица - убийца »); D/ пл ., шт . – число обнаруженных дефектов на пластине 300 мм ; Сч / мл , шт . – число частиц в 1 мл УЧВ ; IRDS Сч / мл , шт . – число частиц в 1 мл УЧВ ; согласно ожиданиям IRDS ки зрения задержания частиц . Как пра - вило , на ФСД задерживается около 50% частиц размеромменее 20 нм , что , веро - ятно , связано с их поверхностным заря - дом . Также стандарт позволяет оценить вероятность вымывания из ФСД предше - ственников частиц . Стандарт [5] предла - гает методологию определения эффек - тивной задерживающей способности фильтров частиц размеромменее 15 нм , которые используются в системах рас - пределения ультрачистой воды ( УЧВ ). Оценка применяемых на сегодняшний день ультрафильтров показывает , что они способны задержать субмикрон - ные частицы менее 20 нм с эффектив - ностью 75% [1]. Литература 1. International Roadmap for Devices and Systems™ 2023 update yield enhancement. 2. Samsung starts shipping world’s first 3nm chips. By Lee Ji-yoon. Published: July 25, 2022 – 14:59 // URL: https:// www.koreaherald.com/view. php?ud=20220725000623 ( дата обраще - ния : 20.02.2024). 3. SEMI F121 – Guide for Evaluating Metrology for Particle Precursors in Ultrapure Water. Опубликован 09.2023. 4. SEMI C93 – Guide for Determining the Quality of Ion Exchange Resin Used in Polish Applications of Ultrapure Water System. Опубликован 02.2017. 5. SEMI C79 – Guide to Evaluate the Efficacy of Sub- 15 nmFilters Used inUltrapureWater (UPW) Distribution Systems. Опубликован 08.2019. 6. SEMI F104 – Test Method for Evaluation of Particle Contribution of Components Used in Ultrapure Water and Liquid Chemical Distribution Systems. Опубликован 05.2020.