Современная электроника №5/2024

ПРОЕКТИРОВАНИЕ И МОДЕЛИРОВАНИЕ 35 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 5 / 2024 параметров зависит от выбранной структуры . 5. Область ввода значений параме - тров структуры и отображение ре - зультата . 6. Настройка множественного расчё - та . SimPCB позволяет вычислять первичные и вторичные параме - тры ЛП в диапазоне значений одно - го выбранного параметра . Необходи - мо задать минимальное значение , максимальное и шаг . Результаты отображаются в виде таблицы , ко - торую можно сохранить в формате .xlsx ( рис . 5). 7. Область отображения первичных па - раметров ЛП . В настоящее время до - полнительно вычисляются : задерж - ка в проводнике (Tpd), погонная ёмкость (C0), погонная индуктив - ность (L0), скорость распростране - ния сигнала (Vp) и эффективная ди - электрическая проницаемость (EEr). Для дифференциальных сигналов дополнительно рассчитывается вол - новое сопротивление нечётной мо - ды (Zodd), чётной моды (Zeven) и ре - жима общего вида (Zcomm). 8. В данной секции расположена функциональность настройки до - пустимых значений параметров , выбор единиц измерения и сохра - нения расчёта . Также есть возмож - ность открыть ранее сохранённую структуру в формате .xml и выве - сти результаты расчётов в форма - те .xlsx. Функциональные области для рас - чёта параметров ПО представлены на рисунке ( рис . 6). 1. В данной секции осуществляется выбор типа ПО . В текущей версии доступно отверстие для двухслой - ной ПП . 2. Активация / деактивация наличия опорных слоёв и маски у ПО . Рис . 3. Пример структуры с перевёрнутым проводником Рис . 5. Пример множественного расчёта Рис . 4. Выбор параметра для расчёта 3. Графическое представление ПО с па - раметрами . 4. Описание параметров . 5. Область ввода значений параметров отверстия : ● Dv – диаметр ПО ; ● Tp – толщина меди в отверстии ; ● Dp – диаметр площадки на слое ; ● Da – диаметр антипада ; ● T – толщина меди на слое ; ● H – толщина диэлектрика ; ● Er – диэлектрическая проницае - мость ; ● С 1 – толщина маски ; ● CEr – диэлектрическая проницае - мость маски . 6. Секция отображения рассчитан - ных первичных параметров ПО : задержка (Tpd), ёмкость (C0), ин - дуктивность (L0), скорость распро - странения сигнала (Vp), волновое сопротивление (Zo). 7. Настройка допустимых значений па - раметров , сохранение проекта и вы - бор единиц измерения . Таким образом , инструментарий SimPCB позволяет современному инже - неру решать часть задач обеспечения целостности сигналов высокоскорост - ных печатных плат . Основные преиму - щества инструмента : ● высокая точность и скорость расчё - та параметров ЛП и ПО [3]; ● использование большого набора структур ЛП (104 структуры ); ● учёт высоты маски и технологиче - ского подтрава проводника ; ● расчёт первичных и вторичных па - раметров ЛП и ПО ( ёмкость , индук - тивность , волновое сопротивление , задержка сигнала и т . д .);