Современная электроника №9/2024

СТРАНИЦЫ ИСТОРИИ 29 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 9 / 2024 no. 12, pp. 1782–1783, Dec. 1963. URL: https://ieeexplore.ieee.org/ document/1444636. 7. Алфёров Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетерострук- тур. URL: https://journals.ioffe.ru/ articles/34218. 8. Anderson R.L. Experiments on Ge-GaAs heterojunctions. URL: https:// www.sciencedirect.com/science/ article/abs/pii /0038110162901156. 9. Early Work at Lincoln Laboratory on GaAs Semiconductor Devices. URL: https://archive.ll.mit.edu/ publications/journal/pdf/vol02_ no1/2.1.1.earlywork.pdf. 10. Hall R.N., Fenner G.E., Kingsley J.D., Soltys T.J. and R.O. Light Emission From GaAs Junctions, Phys. Rev. Lett. 9, 366. – Published 1 November 1962. URL: https://journals.aps.org/prl/ pdf/10.1103/PhysRevLett.9.366. 11. Stimulated emission of radiation from GaAs p-n junctions. Marshall I. Nathan et al. Appl. Phys. Lett. 1, 62 (1962). URL: https://bit.ly/4d69e6r. 12. Алфёров Ж.И. История и буду- щее полупроводниковых гетеро- структур // ФТП. 1998. Т. 32. № 1. URL: https://journals.ioffe.ru/articles/ viewPDF/34218. 13. Алфёров Ж.И., Винокуров Д.А., Капи - тонов В.А. и др. Самоорганизую- щиеся наноразмерные кластеры InP в матрице InGaP/GaAs и InAs в матрице InGaAs/InP. URL: https://j. ioffe.ru/articles/viewPDF/35807. 14. Алфёров Ж.И., Жиляев Ю.В., Шмарцев Ю.В. ФТП, 5, 196 (1971)*. URL: https://journals.ioffe.ru/ articles/34218. 15. Esaki L., Tsu R. Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors. IBM Journal of Research and Development, ieeexplore.ieee.org , 1970. URL: https://ieeemilestones. ethw.org/w/images/6/62/IBM_ JRD_14%2C_61_%281970%29.pdf. 16. Enhancing Chaotic Behavior at room temperature in GaAs/(Al,Ga) As Superlattices. Physical review. B, Condensed matter. March 2017. URL: https://www.researchgate. net/publication/313724166_ Enhancing_Chaotic_Behavior_at_ room_temperature_in_GaAsAlGaAs_ Superlattices/figures?lo=1. 17. Казаринов Р.Ф., Сурис Р.А. О воз- можности усиления электро- магнитных волн в полупрово- дниках со сверхрешёткой // ФТП. 1971*. Т. 5, вып. 4. С. 797. URL: http:// journals.ioffe.ru/articles/catalog. 18. Osbourn G.C. A GaAs x P 1−x /GaP strained-layer superlattice. Appl. Phys. Lett. 41, 172–174 (1982). URL: https://doi.org/10.1063/1.93450. 19. Rupprecht H., Woodall J.M., Pettit G.D. Efficient Visible Electroluminescence at 300°K from Ga 1–x Al x As p-n Junctions Grown by Liquid-Phase Epitaxy. Applied Physics Letters, Volume 11, Issue 3, p. 81–83, 1967. URL: https://ui.adsabs.harvard.edu/ abs/1967ApPhL..11...81R/abstract. 20. Rupprecht H.S., Woodall I.М., Pettit G.D. Appl. Phys. Lett., 11, 81 (1967) (Subмitted June 19, 1967). URL: https://woodall.ece.ucdavis.edu/ wp-content/uploads/sites/84/2016/02/ rupprecht1967.pdf. 21. Третьяков Д.Н. Материал из Вики- педии. URL: https://bit.ly/3YbfzIs. 22. Алфёров Ж.И. Двойные гетеро- структуры: концепция и примене- ния в физике, электронике и тех- нологии // УФН. 2002. Т. 172, № 9. С. 1068–1086. URL: https://www. mathnet.ru/links/987e195e847f2779d b9179e60274eefe/ufn2057.pdf. 23. Lattice Constant of AlAs. URL: https:// doi.org/10.1002/crat.2170270118; Al x Ga 1–x As/GaAs/Al x Ga 1–x As. 24. Double Quantum Well with a Thin AlAs Interwell Barrier. URL: https:// link.springer.com/article/10.1023/ A:1023913804235. 25. Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Порт - ной Е.Л., Трукан М.К. Инжекци- онные лазеры на основе гетеро- переходов в системе AlAs-GaAs с низким порогом генерации при комнатной температуре // ФТП. 1970, т. 3*. URL: https://journals.ioffe . ru/articles/34218. 26. Alferov Zh.I. Nobel lectures. Reviews of modern physics v. 72, July 2001. URL: https://journals.aps.org/rmp/ abstract/10.1103/RevModPhys.73.767. 27. Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Порт - ной Е.Л. и др. Патент № 300126, МПК H01S 5/32, Опубликован 05.01.1977. URL: https://patents.su/3- 300126-inzhekcionnyjj-lazer.html. 28. Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Кле - пикова Н.В. и др. Полупроводни- ковый лазер с гетеропереходами. Патент СССР № SU 521806; МПК: H01S 5/30. URL: https://patents.su/ patents/shelovanova. 29. Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Гарбу - зов Д.З. и др. Исследование влия- ния параметров гетероструктуры в системе AlAs-GaAs на пороговый ток лазеров и получение непре- рывного режима генерации при комнатной температуре // ФТП. 1970. Т. 4. С. 1826. URL: https://search. rsl.ru/ru/record/01001470767?ysclid= m24si2ska3854365508. 30. Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Король - ков В.И. и др. Патент № 251096, МПК: H01H 21/203. Способ изготов- ления полупроводниковых диодов на основе соединений А3В5. Заяв- ка 1210943, 15.01.1968. Опубликова- но: 05.01.1977. URL: https://patents. su/3-251096-sposob-izgotovleniya- poluprovodnikovykh-diodov-na- osnove-soedinenijj-a-v.html. 31. Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Король - ков В.М. и др. ФТП, 3, 930, 1969*. URL: http://journals.ioffe.ru/articles/ catalog. 32. Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Король - ков В.М. и др. ФТП, 4, 578, 1970*. URL: http://journals.ioffe.ru/articles/ catalog. 33. Алфёров Ж.И., Дураев В.П., Андре - ев В.М. и др. Омический контакт полупроводниковых приборов. Номер патента: 325908, МПК: H01L 21/28, Заявка: 30.04 1970. Опублико- вано: 05.04.1974. URL: https://patents. su/1-325908-325908.html. 34. Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Каган М.Б. и др. Полупроводнико- вый фотоэлемент. Номер патен- та: 344781, МПК: H01L 31/02. Заяв- ка 1465206, 14.07.1970. Опубликова- но: 23.07.1981. URL: https://patents. su/2-344781-poluprovodnikovyjj- fotoehlement.html. 35. Panish M.B., Hayashi I. and Sumski S. Double heterostructure injection lasers with roomtemperature thresholds as low as 2300 A/cm 2 . Appl. Phys. Lett. 16, 326–328 (1969). URL: https://pubs.aip.org/aip/apl/ article-abstract/16/8/326/41930/ DOUBLE-HETEROSTRUCTURE- INJECTION-LASERS-WITH- ROOM?redirectedFrom=fulltext. 36. Nelson H. Epitaxial growth from the liquid state and its application to the fabrication of tunnel and laser diodes. RCA Rev. 24, 603–615 (1963). URL: https://cir.nii.ac.jp/crid/1571417 125842515584?lang=en. 37. Солдатенков Ф.Ю., Козлов В.А. Тех- нология жидкофазной эпитаксии для выращивания многослойных гетероструктур силовой электро- ники на основе арсенида галлия // Наноиндустрия. 2018. Вып. 9. URL: