Современная электроника №9/2024

СТРАНИЦЫ ИСТОРИИ 30 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 9 / 2024 https://www.nanoindustry.su/journal/ article/6788. 38. Ying Liu, Peng Zhou, et. al. Strain induced anisotropy in liquid phase epitaxy. Nature scientific reports. URL: https://bit.ly/3BUNMEz. 39. Alferov Zh.I. Nobel Lecture: The double heterostructure concept and its applications in physics, electronics, and technology. REVIEWS OF MODERN PHYSICS, VOLUME 73, JULY 2001. URL: https://journals. aps.org/rmp/abstract/10.1103/ RevModPhys.73.767. 40. Alferov Zh.I., Andreev V.M., Garbuzov D.Z., et. al. Journal Sov. Phys. Semicond, v. 4, iss. 9, p. 1573 (1971). URL: https://scholar.google.com/ citations?view_op=view_citation&hl=e n&user=Mv3S6FkAAAAJ&citation_for_ view=Mv3S6FkAAAAJ:u5HHmVD_uO8C. 41. Hayashi I., Panish M.B., Foy P.W. and Sumski S. Junction lasers which operate continuously at room temperature. Appl. Phys. Lett. 17, 109–110 (1970). URL: https://www. sciencedirect.com/science/article/abs/ pii/B9780120029044500115. 42. Алфёров Ж.М., Андреев В.М., Каза - ринов Р.Ф. и др. Полупроводни- ковый оптический квантовый генератор. Авторское свидетель- ство № 392875, СССР, МКИ H01 S 3/19. Заявка № 167749. Заявлено 19.07.1971 г. // Бюллетень изобре- тений (1), 259, 1977. URL: https:// patents.su/patents/h01s-5-32. 43. Distributed feedback laser, Wikipedia. URL: https://en.wikipedia . org/wiki/Distributed-feedback_laser. 44. Nakamura M., Yariv A., Yen H.W. et. al. Optically pumped GaAs surface laser with corrugation feedback. Appl. Phys. Lett. Volume 22, Issue 10, p. 515–516. Pub Date: May 1973. URL: https://pubs.aip.org/aip/apl/ article-abstract/22/10/515/43663/ Optically-pumped-GaAs-surface-laser- with?redirectedFrom=fulltext. 45. Алфёров Ж.И., Гуревич С.А., Каза - ринов Р.Ф. и др. ПКГ со сверхма- лой расходимостью излучения // Физика и техника полупроводни- ков. 1974*. Т. 8. С. 832. URL: http:// journals.ioffe.ru/articles/catalog. 46. Scifres D.R., Burnham R.D., Streifer W. Distributed – feedback single heterojunction GaAs diode laser. Appl. Phys. Lett. Vol 25, Issue 4, id. 203 August 1974. URL: https://ui.adsabs.harvard.edu/ abs/1974ApPhL..25..203S/abstract. 47. Alferov Zh.I., Andreev V.M., Konnikov S.G. et. al. Heterojunctions on the base of A III B V semiconducting and of their solid solutions. Proc. Int. Conf., Budapest, October 1970, ed by G. Szigeti, Academiai Kiado, Budapest, Vol. 1, p. 93, 1971. URL: https://link.springer.com/ article/10.1007/BF01596252. 48. Solcore 5.10.0 documentation. Materials and units. The Material System. URL: http://docs.solcore.solar/ en/latest/Systems/Materials.html. 49. Маричев А.Е. Исследование твёр- дых растворов InGaAsP для фото- электрических преобразователей лазерного излучения. ФТИ имени Иоффе, 2023. URL: https://www.ioffe . ru/serve/theses/avtoref/Thes_0589. pdf. *Примечание: статьи в журнале «Физика и техника полупроводников» доступны для всех желающих на сай - те ФТП (http://journals.ioffe.ru/articles/ catalog) только начиная с 1988 года. Более ранние статьи предоставляют - ся по дополнительному согласованию с редакцией журнала. НОВОСТИ МИРА Барьеры искрозащиты NewPWR – оптимальное решение для обеспечения искробезопасности цепей Компания Nanjing New Power (КНР), ос- нованная в 2002 году, специализируется на разработке и производстве устройств безопасности и защиты сигналов, таких как барьеры искрозащиты, реле безопас- ности, изоляторы сигналов, УЗИП и др. На сегодняшний день компания является одним из основных поставщиков на рынке устройств искрозащиты Китая, пользуясь высокой репутацией благодаря своим соб- ственным разработкам и качеству продук- ции. Благодаря высокому уровню автома- тизации производства, интеллектуальным и высокотехнологичным системам на сво- ём предприятии, компания NewPWR обла- дает небольшим, но высококвалифициро- ванным штатом сотрудников, в основном инженеров и разработчиков, что позволяет сконцентрировать усилия на разработке но- вых продуктов высокого класса, за что име- ет множество правительственных наград в области науки и технологий, а также вхо- дит в несколько престижных ассоциаций. Одним из главных направлений разработок и производства являются барьеры искробе- зопасности. В частности компания NewPWR предлагает бюджетные, но при этом высо- конадёжные барьеры серии C. Устройства обладают достаточно компактным разме- ром – 12,8 мм или 17,8 мм, в зависимости от количества каналов, – а также съёмными клеммниками для удобства монтажа. Барьеры обеспечивают гальваническую развязку меж- ду источником питания, входом и выходом. Использует независимый источник питания, при этом есть возможность питания по об- щей шине. Дополнительная надёжность обе- спечивается за счёт ряда разработок компа- нии, таких как: собственный предохранитель, обладающий быстродействием, низким вну- тренним сопротивлением и достаточно низ- ким подъём температуры; собственные маг- нитные материалы c низким температурным дрейфом и высокой проницаемостью. По- мимо прочего, все барьеры серии обладают широким диапазоном как напряжения пита- ния – 18~60 В DC, так и рабочих температур (–20…+60°C). Высокоточная термокомпенса- ция, а также программируемый ввод допол- няют функциональность устройств. За счёт широкого спектра поддерживае- мых сигналов, как, например, от термопар или терморезисторов, потенциометров, дат- чиков вибраций и деформаций, а также ча- стотных и интерфейсных (RS-485/RS-232/ RS-422/CAN) сигналов, барьеры могут при- меняться в различных отраслях промышлен- ности. Тем более что все модели барьеров искрозащиты соответствуют требованиям ТР ТС 012/2011 и имеют маркировку взры- возащиты: [Ex ia Ga] IIC.