Фильтр по тематике

Одноканальные модули управления IGBT

Развитие современной силовой электроники неразрывно связано с ростом её технических и эксплуатационных показателей, а также с уменьшением её массо-габаритных характеристик. Данная статья посвящена новым модулям управления для силовых устройств на биполярных транзисторах с изолированным затвором (IGBT), разработанным ЗАО «Протон-Импульс», которые могут применяться практически во всех типах преобразовательного оборудования.
01.03.2017 918 0
Одноканальные модули управления IGBT

Модули управления IGBT широко используются в современной силовой электронике. Эти устройства находят большое применение в различных многоуровневых преобразователях, инверторах питания электродвигателей средней мощности, в управляемых и неуправляемых выпрямителях, сварочных аппаратах, ветряных электростанциях и т.п. Помимо этого, актуальным решением является использование таких модулей в агрегатах городского и железнодорожного транспорта. В качестве примера можно привести применение данных модулей в промышленных тяговых преобразователях, что позволяет повышать частоту переключения, минимизировать загрузку сети и потери в обмотках трансформаторов и дросселей, а также упростить схему управления.

Параметры данных преобразователей, такие как скорость переключения, статические и динамические потери, уровень электромагнитных помех, во многом определяются характеристиками схемы управления, которые должны соответствовать техническим требованиям потребителей данных модулей. В связи с чем предприятие ЗАО «Протон­Импульс» (г. Орёл) постоянно совершенствует и расширяет свою линейку одноканальных модулей управления. Далее рассматриваются два новых одноканальных модуля управления IGBT c выходным импульсным током затвора 18 и 36 А.

Одноканальный модуль управления IGBT 1МУБ180 (см. рис. 1) предназначен для управления одним мощным транзистором, с предельно допустимым напряжением 3300 В. Драйвер является усилителем­формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 6 кГц. Драйвер содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC­преобразова­тель, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора, и оптоволоконный интерфейс. Конструктивно и функционально модуль аналогичен драйверам серии CT­Concept 1SD418F2.

Основные особенности модуля 1МУБ180:

  • защита IGBT от короткого замыкания;
  • технология улучшенного активного ограничения (Advanced Active Clamping, AAC);
  • высокая надёжность и большой срок службы;
  • отсутствие электролитических конденсаторов;
  • ток затвора до ±18 А;
  • электрическая изоляция 6000 В AC;
  • волоконно­оптическая линия управления;
  • контроль напряжения питания и волоконной оптики;
  • встроенный DC/DC­преобразователь питания;
  • частота переключения до 6 кГц.

На рисунке 2 приведены габаритные и установочные размеры одноканального модуля управления 1МУБ180.

Основные электрические характеристики модуля 1МУБ180 представлены в таблице 1.

Все параметры, приведённые в таблице, получены с использованием IGBT­модуля Infineon FZ800R33KF2 при нормальных климатических условиях и напряжении питания 15 В. Предельно допустимые параметры модуля представлены в таблице 2.

Одноканальный модуль управления IGBT 1МУБ360 (см. рис. 3) предназначен для управления одним мощным транзистором, с предельно допустимым напряжением 3300 В.

Драйвер также является усилителем­формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 3,4 кГц. В устройство встроен гальванически развязанный DC/DC­преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора, и оптоволоконный интерфейс. Модуль конструктивно и функционально аналогичен драйверам серии CT­Concept 1SD536F2.

Основными отличиями от 1МУБ180 в данном модуле являются:

  • ток затвора до ±36 А;
  • электрическая изоляция 4000 В AC;
  • частота переключения до 3,4 кГц.

На рисунке 4 приведены габаритные и установочные размеры одноканального модуля управления IGBT 1МУБ360.

Основные электрические характеристики модуля 1МУБ360 представлены в таблице 1. Все параметры, приведённые в таблице, получены с использованием IGBT­модуля Infineon FZ1500R33HE3 при нормальных климатических условиях и напряжении питания 15 В. Предельно допустимые параметры модуля представлены в таблице 2.

Реальные характеристики драйверов 1МУБ180 и 1МУБ360 могут отличаться от приведённых, в зависимости от применяемого IGBT­модуля.

Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!

01.03.2017 918 0
Комментарии
Рекомендуем
Проверяемое автономное управление: архитектура контроля решений ИИ в киберфизических и распределённых системах Электроника и автоматизация

Проверяемое автономное управление: архитектура контроля решений ИИ в киберфизических и распределённых системах

В статье рассматривается архитектура SEACS (Self-Evolving Autonomous Control System), предназначенная для построения проверяемого контура автономного управления в распределённых и киберфизических системах. В отличие от подходов, где успешный вызов модели или выполнение команды трактуется как завершение задачи, SEACS разделяет наблюдение, оценку состояния, выбор решения, исполнение и последующую проверку фактического результата. Рассматриваются механизмы управления риском и доверием, гистерезиса, задержки повторных воздействий, резервных сценариев и передачи решения человеку. Отдельное внимание уделено воспроизводимым испытаниям, требованиям к данным и метрикам, а также ограничениям исследовательского прототипа.
30.10.2026 СЭ №8/2026 214 0
К 130-летию со дня рождения великого советского физика Игоря Евгеньевича Тамма. Часть 7. Оптические уровни  и плазмон-поляритоны Тамма Электроника и автоматизация

К 130-летию со дня рождения великого советского физика Игоря Евгеньевича Тамма. Часть 7. Оптические уровни и плазмон-поляритоны Тамма

Эта статья завершает серию публикаций о научном наследии Игоря Тамма, в которой была проанализирована эволюция идей Тамма и его учеников от 1930-х годов до наших дней. Среди различных направлений, которыми в различные периоды своей жизни занимался Игорь Тамм, мы остановились на тематике, связанной с взаимодействием света с электронами на границе металла и диэлектрика. Данное направление, начавшееся с разработки теории «таммовских поверхностных состояний», логически продолжилось открытием оптических состояний Тамма (Optical Tamm States – OTS), а затем плазмон-поляритонов Тамма (Tamm Plasmon-Polaritons – TPP). Именно этим двум явлениям посвящена настоящая статья.
28.10.2026 СЭ №8/2026 227 0

Реклама
Реклама.  ООО «Остек-СМТ»  ИНН 7731481045  erid = 2SDnjchs19E
Реклама
Реклама.  ООО «Остек-СМТ»  ИНН 7731481045  erid = 2SDnjdHxidA
  Подписывайтесь на наш канал в Telegram и читайте новости раньше всех! Подписаться