Среди представленных новинок:
-
Диоды разных типов в корпусах для поверхностного монтажа. Эти устройства применяются в радиостанциях, радиодальномерах, радиовысотомерах, шифровальной аппаратуре, маршрутизаторах доступа, бортовом оборудовании самолётов и радиолокационных станциях;
-
Лавинные фотодиоды на основе кремния и арсенида галлия-индия. Это высокочувствительные полупроводниковые приборы, преобразующие свет в электрические сигналы. Они используются в машинном зрении, оптоволоконной телекоммуникации и лазерной дальнометрии;
-
Гетероструктуры на основе полупроводниковых материалов A3B5. Они служат основой для производства лазерных диодов, светодиодов и фотоприёмников.
В «Росэлектронике» сообщили, что предприятия холдинга постоянно увеличивают ассортимент импортозамещающей ЭКБ, развивают компетенции и наращивают производственные мощности. Разработка и внедрение технологий производства опто- и фотоэлектронных компонентов являются приоритетами стратегии развития электронной промышленности России до 2030 года, и на выставке «Связь» предприятия уже демонстрируют образцы таких изделий.
Если вам понравился материал, кликните значок - вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал - не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!