От синтетического алмаза с его запрещенной зоной около 5.5 эВ ожидают, что изделия на его основе могут превзойти возможности GaN в приложениях, где важны высокочастотные характеристики, высокая подвижность электронов, устойчивость к высоким температурам, высокие мощность и долговечность.
Нитрид алюминия (AIN) имеет еще более широкую запрещенную зону – около 6.2 эВ.
Второй этап подразумевает улучшение технологий и переход к созданию полупроводниковых приборов на базе синтетических алмазов и AIN на пластинах большего диаметра.
По условиям контракта, Raytheon должна завершить оба этапа в течение трех лет, что подчеркивает срочность проекта.
Для Raytheon тема не новая, компания уже занималась созданием приборов GaN и GaAs и их интеграцией в РЛС-решения, так что принципиальных сложностей для выполнения контракта быть не должно.
Если вам понравился материал, кликните значок - вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал - не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!
