«До сих пор в России подобные изделия производились только на основе нитридгаллиевых (GaAs) технологий. Специалисты разработали интегральные схемы на основе отечественных кремниевых процессов: такие устройства характеризуются меньшим энергопотреблением, компактностью, высокой надёжностью и более низкой стоимостью производства», — сообщили в пресс-службе университета.
На данный момент разработчики изготовили два типа интегральных схем из набора, необходимого для создания приёмопередатчика. До конца следующего года планируется создание ещё двух схем.В университете отметили, что экспериментальное и серийное производство созданных схем может быть организовано на мощностях АО «Микрон». Их использование и внедрение представляют интерес для таких организаций, как АО «Концерн ВКО „Алмаз-Антей“», ПАО «Алмаз», НПП «Исток», АО «ОКБ „Планета“», АО «Решетнёв», АО «НИИМЭ», АО «НПП „Микран“» и АО «НИИПП».